ME7839S-G دیتاشیت

ME7839S-G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ME7839S-G
حجم فایل 80.681 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت ME7839S-G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: MATSUKI ME7839S-G
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 25W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 27.6nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.69nF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 36.1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 293pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8mΩ@10V,12A
  • Package: DFN-8(3x3)
  • Manufacturer: MATSUKI

محصولات مشابه