SQ2361AEES-T1_GE3 دیتاشیت

SQ2361AEES-T1_GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SQ2361AEES-T1_GE3
حجم فایل 88.376 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت SQ2361AEES-T1_GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SQ2361AEES-T1_GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Ta)
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 15nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 620pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 170mΩ@10V,2.4A
  • Package: SOT-23-3
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه