NTJD5121NT2G دیتاشیت

NTJD5121NT2G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTJD5121NT2G
حجم فایل 88.191 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت NTJD5121NT2G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTJD5121NT2G
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 250mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 0.9nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 26pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 295mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.6Ω@10V,500mA
  • Package: SOT-363-6(SC-70-6)
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه