IV1Q12750O3 دیتاشیت

IV1Q12750O3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IV1Q12750O3
حجم فایل 71.029 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت IV1Q12750O3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: InventChip IV1Q12750O3
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 66.9W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 15.8nC@-5V~20V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 1200V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 260pF@800V
  • Continuous Drain Current (Id): 6.4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.3V@380uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 2.6pF@800V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 750mΩ@20V,1.5A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: InventChip

محصولات مشابه