دیتاشیت BTS282Z E3230

BTS282Z E3230

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BTS282Z E3230
حجم فایل 64.439 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

دانلود دیتاشیت BTS282Z E3230

BTS282Z E3230 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BTS282Z E3230
  • Operating Temperature: -40°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 300W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 232nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 49V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4800pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 80A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@240uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,36A
  • Package: TO-220-7(Forming)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

دیتاشیت محصولات مشابه