SI5411EDU-T1-GE3 دیتاشیت

SI5411EDU-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI5411EDU-T1-GE3
حجم فایل 106.811 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت SI5411EDU-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI5411EDU-T1-GE3
  • Power Dissipation (Pd): 31W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 12V
  • Continuous Drain Current (Id): 25A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.2mΩ@4.5V,6A
  • Package: PowerPAK
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه