SI1403BDL-T1-GE3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
SI1403BDL-T1-E3
|
|
حجم فایل
|
84.557
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
10
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
P Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SI1403BDL-T1-GE3
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
625mW
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
4.5nC@4.5V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
-
-
Continuous Drain Current (Id):
1.5A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
1.3V@250uA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
-
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
150mΩ@1.5A,4.5V
-
Package:
SOT-363-6
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
