HY3210P دیتاشیت

HY3210P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY3210P
حجم فایل 50.609 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت HY3210P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY3210P
  • Power Dissipation (Pd): 237W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 120A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,60A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه