ST STB30N65M2AG دیتاشیت

ST STB30N65M2AG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ST STB30N65M2AG
حجم فایل 50.258 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت ST STB30N65M2AG-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Type: N-Channel
  • Number: 1 N-channel
  • RDS(on): 180mΩ
  • Gate Charge(Qg): 30.8nC
  • Ciss-Input Capacitance: 1.44nF
  • Pd - Power Dissipation: 190W
  • Drain to Source Voltage: 650V
  • Operating Temperature -: -55℃~+150℃
  • Output Capacitance(Coss): 60pF
  • Current - Continuous Drain(Id): 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 4V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 0.5pF
  • Package: D2PAK(TO-263)

محصولات مشابه