VISHAY SI4590DY-T1-GE3 دیتاشیت

VISHAY SI4590DY-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VISHAY SI4590DY-T1-GE3
حجم فایل 95.586 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت VISHAY SI4590DY-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Number: 1 N-Channel + 1 P-Channel
  • RDS(on): 183mΩ
  • Gate Charge(Qg): 11.6nC
  • Ciss-Input Capacitance: 1.15nF
  • Pd - Power Dissipation: 2.3W
  • Drain to Source Voltage: 100V
  • Operating Temperature -: -55℃~+150℃
  • Current - Continuous Drain(Id): 2.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 1.5V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 40pF
  • Package: SO-8

محصولات مشابه