HXY MOSFET NVATS5A107PLZT4G-HXY دیتاشیت

HXY MOSFET NVATS5A107PLZT4G-HXY

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HXY MOSFET NVATS5A107PLZT4G-HXY
حجم فایل 67.569 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت HXY MOSFET NVATS5A107PLZT4G-HXY

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Type: P-Channel
  • Number: 1 P-Channel
  • RDS(on): 13.5mΩ
  • Gate Charge(Qg): 35nC
  • Ciss-Input Capacitance: 2.525nF
  • Pd - Power Dissipation: 40.3W
  • Drain to Source Voltage: 40V
  • Operating Temperature -: -55℃~+150℃
  • Output Capacitance(Coss): 190pF
  • Current - Continuous Drain(Id): 50A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 1.5V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 172pF
  • Package: TO-252-2L

محصولات مشابه