Siliup SP020N09GHTD دیتاشیت

Siliup SP020N09GHTD

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت Siliup SP020N09GHTD
حجم فایل 50.484 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت Siliup SP020N09GHTD-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Number: 1 N-channel
  • RDS(on): 9.2mΩ
  • Gate Charge(Qg): 48nC
  • Ciss-Input Capacitance: 4.183nF
  • Pd - Power Dissipation: 270W
  • Drain to Source Voltage: 200V
  • Operating Temperature -: -55℃~+150℃
  • Output Capacitance(Coss): 437pF
  • Current - Continuous Drain(Id): 110A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 3V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 12pF
  • Package: TO-263-3L

محصولات مشابه