HXY MOSFET NTH4L020N120SC1-HXY دیتاشیت

HXY MOSFET NTH4L020N120SC1-HXY

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HXY MOSFET NTH4L020N120SC1-HXY
حجم فایل 76.591 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HXY MOSFET NTH4L020N120SC1-HXY

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RDS(on): 28.8mΩ
  • Gate Charge(Qg): 162nC
  • Ciss-Input Capacitance: 4.818nF
  • Pd - Power Dissipation: 469W
  • Drain to Source Voltage: 1.2kV
  • Operating Temperature -: -40℃~+175℃
  • Output Capacitance(Coss): 180pF
  • Current - Continuous Drain(Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 3.6V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 12pF
  • Package: TO-247-4L

محصولات مشابه