HXY MOSFET ISC0805NLSATMA1-HXY دیتاشیت

HXY MOSFET ISC0805NLSATMA1-HXY

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HXY MOSFET ISC0805NLSATMA1-HXY
حجم فایل 65.527 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت HXY MOSFET ISC0805NLSATMA1-HXY-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Number: 1 N-channel
  • RDS(on): 6.4mΩ
  • Gate Charge(Qg): 39.4nC
  • Ciss-Input Capacitance: 2.944nF
  • Pd - Power Dissipation: 97W
  • Drain to Source Voltage: 100V
  • Output Capacitance(Coss): 736pF
  • Current - Continuous Drain(Id): 75A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 1.6V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 2.04pF
  • Package: DFN-8L(5x6)

محصولات مشابه