VBsemi Elec SI2309DS-T1-GE3-VB دیتاشیت

VBsemi Elec SI2309DS-T1-GE3-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBsemi Elec SI2309DS-T1-GE3-VB
حجم فایل 72.557 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت VBsemi Elec SI2309DS-T1-GE3-VB

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Type: P-Channel
  • Number: 1 P-Channel
  • RDS(on): 50mΩ
  • Gate Charge(Qg): 12nC
  • Ciss-Input Capacitance: 270pF
  • Pd - Power Dissipation: 27W
  • Drain to Source Voltage: 60V
  • Operating Temperature -: -55℃~+175℃
  • Output Capacitance(Coss): 170pF
  • Current - Continuous Drain(Id): 3.8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 1V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 31pF
  • Package: SOT-23(TO-236)

محصولات مشابه