Taiwan Semiconductor ES1BL R2G دیتاشیت

Taiwan Semiconductor ES1BL R2G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت Taiwan Semiconductor ES1BL R2G
حجم فایل 73.465 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

دانلود دیتاشیت Taiwan Semiconductor ES1BL R2G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Current - Rectified: 1A
  • Diode Configuration: -
  • Voltage - Forward(Vf@If): 950mV
  • Reverse Recovery Time (trr): 35ns
  • Reverse Leakage Current (Ir): 5uA
  • Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100V
  • Operating Junction Temperature Range: -55℃~+150℃
  • Package: Sub-SMA