Infineon IRS21867SPBF دیتاشیت

Infineon IRS21867SPBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت Infineon IRS21867SPBF
حجم فایل 67.03 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 21

مشاهده دیتاشیت Infineon IRS21867SPBF-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Features: Under Voltage Protection
  • Fall Time: 18ns
  • Load Type: MOSFET;IGBT
  • Rise Time: 22ns
  • Voltage - Supply: 6.8V~20V
  • Driven Configuration: High Side;Low Side
  • Low Level Delay Time: 170ns
  • High Level Delay Time: 170ns
  • Operating Temperature: -40℃~+150℃
  • Quiescent Current(Iq): 120uA
  • Peak Output Current(Sink): 4A
  • Current - Output High(IOH): 4A
  • Package: SOIC-8

محصولات مشابه