VBsemi Elec HM3N10MR-VB دیتاشیت

VBsemi Elec HM3N10MR-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBsemi Elec HM3N10MR-VB
حجم فایل 73.951 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت VBsemi Elec HM3N10MR-VB-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Type: N-Channel
  • Number: 1 N-channel
  • RDS(on): 260mΩ
  • Gate Charge(Qg): 5.2nC
  • Ciss-Input Capacitance: 190pF
  • Pd - Power Dissipation: 1.25W
  • Drain to Source Voltage: 100V
  • Output Capacitance(Coss): 22pF
  • Current - Continuous Drain(Id): 2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 2.8V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 13pF
  • Package: SOT-23(TO-236)

محصولات مشابه