VBsemi Elec SI2366DS-T1-GE3-VB دیتاشیت

VBsemi Elec SI2366DS-T1-GE3-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBsemi Elec SI2366DS-T1-GE3-VB
حجم فایل 74.303 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت VBsemi Elec SI2366DS-T1-GE3-VB

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Type: N-Channel
  • Number: 1 N-channel
  • RDS(on): 30mΩ
  • Gate Charge(Qg): 4.5nC
  • Ciss-Input Capacitance: 335pF
  • Pd - Power Dissipation: 1.7W
  • Drain to Source Voltage: 30V
  • Operating Temperature -: -55℃~+150℃
  • Output Capacitance(Coss): 45pF
  • Current - Continuous Drain(Id): 6.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 1.1V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 17pF
  • Package: SOT-23(TO-236)

محصولات مشابه