Taiwan Semiconductor TSM220NB06LCR RLG دیتاشیت

Taiwan Semiconductor TSM220NB06LCR RLG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت Taiwan Semiconductor TSM220NB06LCR RLG
حجم فایل 90.517 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت Taiwan Semiconductor TSM220NB06LCR RLG-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Number: 1 N-channel
  • RDS(on): 22mΩ
  • Gate Charge(Qg): 12nC
  • Ciss-Input Capacitance: 1.314nF
  • Pd - Power Dissipation: 23W
  • Drain to Source Voltage: 60V
  • Operating Temperature -: -55℃~+175℃
  • Current - Continuous Drain(Id): 35A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 2.5V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 26pF
  • Package: PDFN-8(5.2x5.8)

محصولات مشابه