HXY MOSFET SI4435DDY-T1-GE3-HXY دیتاشیت

HXY MOSFET SI4435DDY-T1-GE3-HXY

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HXY MOSFET SI4435DDY-T1-GE3-HXY
حجم فایل 66.885 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت HXY MOSFET SI4435DDY-T1-GE3-HXY

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Number: 1 P-Channel
  • RDS(on): 20mΩ
  • Ciss-Input Capacitance: 1.69nF
  • Pd - Power Dissipation: 2.5W
  • Drain to Source Voltage: 30V
  • Operating Temperature -: -55℃~+150℃
  • Output Capacitance(Coss): 195pF
  • Current - Continuous Drain(Id): 9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 3V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 190pF
  • Package: SOP-8

محصولات مشابه