VBsemi Elec Si3459BDV-T1-GE3-VB دیتاشیت

VBsemi Elec Si3459BDV-T1-GE3-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBsemi Elec Si3459BDV-T1-GE3-VB
حجم فایل 70.739 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت VBsemi Elec Si3459BDV-T1-GE3-VB

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Type: P-Channel
  • Number: 1 P-Channel
  • RDS(on): 75mΩ
  • Gate Charge(Qg): 10nC
  • Ciss-Input Capacitance: 950pF
  • Pd - Power Dissipation: 2W
  • Drain to Source Voltage: 60V
  • Operating Temperature -: -55℃~+150℃
  • Output Capacitance(Coss): 80pF
  • Current - Continuous Drain(Id): 3.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 3V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 63pF
  • Package: TSOP-6

محصولات مشابه