Taiwan Semiconductor GPAS1007 دیتاشیت

Taiwan Semiconductor GPAS1007

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت Taiwan Semiconductor GPAS1007
حجم فایل 78.797 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت Taiwan Semiconductor GPAS1007

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Current - Rectified: 10A
  • Diode Configuration: 1 Independent
  • Voltage - Forward(Vf@If): 1.1V
  • Reverse Leakage Current (Ir): 5uA
  • Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1kV
  • Operating Junction Temperature Range: -55℃~+150℃
  • Non-Repetitive Peak Forward Surge Current: 150A
  • Package: TO-263AB(D2PAK)