VISHAY SISH112DN-T1-GE3 دیتاشیت

VISHAY SISH112DN-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VISHAY SISH112DN-T1-GE3
حجم فایل 93.696 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت VISHAY SISH112DN-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Number: 1 N-channel
  • RDS(on): 7.5mΩ
  • Gate Charge(Qg): 27nC
  • Ciss-Input Capacitance: 2.61nF
  • Pd - Power Dissipation: 3.8W
  • Drain to Source Voltage: 30V
  • Operating Temperature -: -50℃~+150℃
  • Current - Continuous Drain(Id): 17.8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 1.5V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 145pF
  • Package: -

محصولات مشابه