BC847ALT1G دیتاشیت

BC847ALT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC847ALT1G
حجم فایل 80.654 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

دانلود دیتاشیت BC847ALT1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

BC,SBC846ALT1G Series 14 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi BC847ALT1G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 110@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 600mV@100mA,5mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: *
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • Base Part Number: BC847
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor

محصولات مشابه