FDS4501H دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
FDS4501H
|
|
حجم فایل
|
70.016
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
10
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
1 N-Channel + 1 P-Channel
-
Category:
Transistors/Thyristors/MOSFETs
-
Datasheet:
onsemi FDS4501H
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
1W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
27nC@4.5V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
30V;20V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
1.958nF@10V
-
Continuous Drain Current (Id):
9.3A;5.6A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3V@250uA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
-
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
18mΩ@9.3A,10V
-
Package:
SO-8
