MMBT5088 دیتاشیت

MMBT5088

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MMBT5088
حجم فایل 63.519 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت MMBT5088

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi MMBT5088
  • Transistor Type: NPN
  • Collector Current (Ic): 50mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 30V
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: -
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
  • Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
  • Power - Max: 350mW
  • Frequency - Transition: 50MHz
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Supplier Device Package: SOT-23
  • Base Part Number: MMBT5088
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 50MHz 350mW Surface Mount SOT-23

محصولات مشابه