onsemi FQPF12N60C دیتاشیت

FQPF12N60C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQPF12N60C
حجم فایل 78.913 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت FQPF12N60C

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FQPF12N60C
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 51W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 48nC
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.29nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 12A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 28pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 650mΩ@10V,6A
  • Package: TO-220F-3

محصولات مشابه