دیتاشیت HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HGTG10N120BND
حجم فایل 236.19 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت HGTG10N120BND

HGTG10N120BND Datasheet

مشخصات

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Not For New Designs
  • IGBT Type: NPT
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 35A
  • Current - Collector Pulsed (Icm): 80A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
  • Power - Max: 298W
  • Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off)
  • Input Type: Standard
  • Gate Charge: 100nC
  • Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
  • Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 70ns
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-247-3
  • Supplier Device Package: TO-247-3
  • Base Part Number: HGTG10N120

دیتاشیت محصولات مشابه