SCTW90N65G2V دیتاشیت

SCTW90N65G2V

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SCTW90N65G2V
حجم فایل 406.997 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت SCTW90N65G2V

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A, 18V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157nC @ 18V
  • Vgs (Max): +22V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 400V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: HiP247™
  • Package / Case: TO-247-3
  • Base Part Number: SCTW90
  • detail: N-Channel 650V 90A (Tc) 390W (Tc) Through Hole HiP247™

محصولات مشابه