BC856B دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
BC856B
|
|
حجم فایل
|
42.615
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
4
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
CBI BC856B
-
Transistor Type:
PNP
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
100mA
-
Power Dissipation (Pd):
200mW
-
Transition Frequency (fT):
100MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
200@2mA,5V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
15nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
45V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
650mV@100mA,5mA
-
Package:
SOT-23(TO-236)
-
Manufacturer:
CBI
