دیتاشیت S9012
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
S9012
|
حجم فایل |
189.239
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
4
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
CBI S9012
-
Transistor Type:
PNP
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
500mA
-
Power Dissipation (Pd):
300mW
-
Transition Frequency (fT):
150MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
120@50mA,1V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
25V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
600mV@500mA,50mA
-
Package:
SOT-23(TO-236)
-
Manufacturer:
CBI