دیتاشیت BC849B

BC849B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC849B
حجم فایل 65.14 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

دانلود دیتاشیت BC849B

BC849B Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Yangzhou Yangjie Elec Tech BC849B
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 225mW
  • Transition Frequency (fT): 150MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@100mA,5mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: Yangzhou Yangjie Elec Tech

دیتاشیت محصولات مشابه