IRF540NPBF 数据手册

IRF540NPBF

数据手册规格

数据手册名称 IRF540NPBF
文件大小 71.002 千字节
文件类型 pdf
页数 9

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技术规格

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRF540NPBF
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 130W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 71nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1960pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 33A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 44mΩ@10V,16A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Infineon Technologies

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