دیتاشیت BC849C

BC849C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC849C
حجم فایل 51.349 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 2

دانلود دیتاشیت BC849C

BC849C Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Yangzhou Yangjie Elec Tech BC849C
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 225mW
  • Transition Frequency (fT): 150MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 420@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 30V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@100mA,5mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: Yangzhou Yangjie Elec Tech