IGP30N60H3 دیتاشیت

IGP30N60H3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IGP30N60H3
حجم فایل 31.213 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت IGP30N60H3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: Trench Field Stop
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: Infineon Technologies IGP30N60H3
  • Operating Temperature: -40°C~+175°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 60A
  • Power Dissipation (Pd): 187W
  • Turn?on Delay Time (Td(on)): 18ns
  • Input Capacitance (Cies@Vce): 1.63nF@25V
  • Turn?on Switching Loss (Eon): 0.73mJ
  • Diode Forward Voltage (Vf@If): -
  • Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): 165nC@30A,15V
  • Turn?off Delay Time (Td(off)): 207ns
  • Pulsed Collector Current (Icm): 120A
  • Turn?off Switching Loss (Eoff): 0.44mJ
  • Diode Reverse Recovery Time (Trr): -
  • Collector Cut-Off Current (Ices@Vce): 40uA@600V
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 600V
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 5.1V@430uA
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge): 1.95V@30A,15V
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه