IRF5801TRPBF دیتاشیت

IRF5801TRPBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRF5801TRPBF
حجم فایل 57.384 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت IRF5801TRPBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRF5801TRPBF
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 3.9nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 200V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 88pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 600mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.2Ω@10V,360mA
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه