- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IRFB4229PBF
Infineon Technologies IRFB4229PBF دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IRFB4229PBF |
|---|---|
| حجم فایل | 105.042 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 8 |
دانلود دیتاشیت IRFB4229PBF |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: 1 N-channel
- Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IRFB4229PBF
- Operating Temperature: -40°C~+175°C
- Power Dissipation (Pd): 330W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 110nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 300V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 4560pF
- Continuous Drain Current (Id): 46A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 100pF@160V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 38mΩ@10V,26A
- Package: TO-220AB