MJD45H11G
در 2 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | onsemi |
| Package | --- |
| Datasheet | MJD45H11G |
| Description | --- |
فروشنده های MJD45H11G
| قیمت | |||
| MJD45H11G | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| MJD45H11G | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات MJD45H11G
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet onsemi MJD45H11G
- Transistor Type PNP
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 8A
- Power Dissipation (Pd) 1.75W
- Transition Frequency (fT) 90MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 40@4A,1V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 1uA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1V@8A,400mA
- Package TO-252
- Manufacturer onsemi
فروشنده های MJD45H11G
| قیمت | |||
| MJD45H11G | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| MJD45H11G | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|