SI7846DP-T1-E3
در 2 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | Vishay Intertech |
| Package | --- |
| Datasheet | SI7846DP-T1-E3 |
| Description | --- |
sellers SI7846DP-T1-E3
| قیمت | ||||
|
|
SI7846DP-T1-E3 | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه: |
|
|
|
SI7846DP-T1-E3 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه: |
مشخصات
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Vishay Intertech SI7846DP-T1-E3
- Power Dissipation (Pd) 1.9W
- Drain Source Voltage (Vdss) 150V
- Continuous Drain Current (Id) 4A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@10V,5A
- Package PowerPAK1212-8
- Manufacturer Vishay Intertech
فروشنده ها
| قیمت | ||||
|
|
SI7846DP-T1-E3 | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه: |
|
|
|
SI7846DP-T1-E3 | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه: |
