9V2040S IGBT

ترانزيستور دو قطبي با گِيت عايق شده» (Insulated Gate Bipolar Transistor) يا به اختصار IGBT ، قطعه‌اي نيمه‌رسانا است که عملکردي بين ترانزيستور پيوندي دو قطبي (BJT) و ترانزيستور اثر ميدان (MOSFET) دارد. ترانزيستور IGBT بهترين بخش‌هاي دو ترانزيستور متداول BJT و MOSFET را در ساختار خود دارد. در واقع، امپدانس ورودي بزرگ و سرعت سوئيچينگ بالاي MOSFET و ولتاژ اشباع پايين BJT با هم ترکيب شده است و نوع ديگري ترانزيستور به نام IGBT ساخته شده که قابليت عملکرد در مقادير بالاي جريان کلکتور-اميتر را با ولتاژ گيت تقريباً صفر دارد. آي جي بي تي، همان‌گونه که از نامش پيداست، مجهز به فناوري گيت ايزوله شده MOSFET و نيز مشخصه يک ترانزيستور دو قطبي متداول است. نتيجه چنين ترکيبي، سوئيچينگ خروجي و مشخصه هدايت يک ترانزيستور دو قطبي را دارد، اما مانند يک ماسفت، ولتاژ آن کنترل شده است. IGBTها به طور گسترده در کاربردهاي الکترونيک قدرت مانند اينورترها، مبدل‌ها و منابع تغذيه که به قطعات سوئيچينگ حالت جامد نياز داشته و ماسفت‌ها و BJTها در آن‌جا کارايي لازم را ندارند، مورد استفاده قرار مي‌گيرند. ترانزيستورهاي دو قطبي ولتاژ بالا و جريان بالا در دسترس هستند، اما سرعت سوئيچينگ آن‌ها پايين است.