GP47S60X TO-247 ماسفت کانال N

ماسفت يا ترانزيستور اثر ميداني نيمه‌رسانا-اکسيد-فلز (به انگليسي: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor MOSFET ) . معروف‌ترين ترانزيستور اثر ميدان در مدارهاي آنالوگ و ديجيتال است. در ترانزيستور اثرِ ميدان ( FET ) چنان که از نام اش پيداست، پايه? کنترلي، جرياني مصرف نمي‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ايجاد ميدان درون نيمه رسانا، جريان عبوري از FET کنترل مي‌شود. از همين روي ورودي اين مدار هيچ اثر بارگذاري بر روي طبقات تقويت قبلي نمي‌گذارد و امپدانس بسيار بالايي دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزيستور JFET در اين است که گيت ترانزيستورهاي ماسفت توسط لايه‌اي از اکسيد سيليسيم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به اين دليل به ماسفتها فِت با گيت مجزا (به انگليسي: IGFET ، Insulated Gate FET) نيز گفته ميشود. مدارهاي مجتمع بر پايه فناوري ترانزيستورهاي اثرِ ميدانِ MOS را مي‌توان بسيار ريزتر و ساده‌تر از مدارهاي مجتمع بر پايه ترانزيستورهاي دوقطبي ساخت، بي آن که (حتي در مدارها و تابع‌هاي پيچيده و مقياس‌هاي بزرگ ) نيازي به مقاومت، ديود يا ديگر قطعه‌هاي الکترونيکي داشته باشند. همين ويژگي، توليدِ انبوهِ آن‌ها را آسان مي‌کند، چندان که هم اکنون بيش‌تر از 85 درصدِ مدارهاي مجتمع، بر پايه فناوريِ MOS طراحي و ساخته مي‌شوند.

در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!