NSBC113EPDXV6T1G

NSBC113EPDXV6T1G

NSBC113EPDXV6T1G

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package ---
Datasheet MUN5330DW1, NSBC113EPDXV6
Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

sellers NSBC113EPDXV6T1G

فروشگاهی یافت نشد

پالت

تغییرات قیمت

پالت

مشخصات

  • RoHS true
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet onsemi NSBC113EPDXV6T1G
  • Transistor Type 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic) 100mA
  • Power Dissipation (Pd) 500mW
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 3@5mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo) 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 250mV@5mA,10mA
  • Package SOT-563
  • Manufacturer onsemi
  • Series *
  • Packaging Cut Tape (CT)
  • Part Status Discontinued at Digi-Key
  • Base Part Number NSBC11
  • detail Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه