1HN04CH-TL-W

1HN04CH-TL-W

1HN04CH-TL-W

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datasheet 1HN04CH
Description N-Channel 100V 270mA (Ta) Surface Mount 3-CPH

sellers 1HN04CH-TL-W

فروشگاهی یافت نشد

پالت
مقالات مرتبط در سیسوگ
  • نسخه جدید zero-W Raspberry Pi ، همراه بلوتوث و WLAN
    نسخه جدید zero-W Raspberry Pi ، همراه بلوتوث و WLAN
  • راه اندازی console و رجیستر W - بخش دوم CPU هشت بیتی
    راه اندازی console و رجیستر W - بخش دوم CPU هشت بیتی
  • معرفی بورد E25 شرکت Radxa همراه سوییچ 2.5GbE و روتر WiFi 6
    معرفی بورد E25 شرکت Radxa همراه سوییچ 2.5GbE و روتر WiFi 6
  • راه اندازی پرینتر سرور با برد رزبری پای
    راه اندازی پرینتر سرور با برد رزبری پای
  • اضافه کردن دستور های جدید CPU هشت بیتی بخش پنجم
    اضافه کردن دستور های جدید CPU هشت بیتی بخش پنجم
  • دستور های جدید CPU هشت بیتی - بخش چهارم CPU هشت بیتی
    دستور های جدید CPU هشت بیتی - بخش چهارم CPU هشت بیتی
  • پردازنده جدید MediaTek با معماری Large-core رقیب جدی کوالکام و اپل
    پردازنده جدید MediaTek با معماری Large-core رقیب جدی کوالکام و اپل
  • معرفی کامپیوتر دستی BeepBerry با سیستم عامل لینوکس
    معرفی کامپیوتر دستی BeepBerry با سیستم عامل لینوکس
  • Louder Raspberry Pi - یک سرور مدیا خانگی متن باز مبتنی بر Raspberry Pi Zero و DAC TI TAS5805M
    Louder Raspberry Pi - یک سرور مدیا خانگی متن باز مبتنی بر Raspberry Pi Zero و DAC TI TAS5805M
  • بخش سوم ساخت شبیه ساز CPU: اضافه کردن دستورات دو مرحله ای
    بخش سوم ساخت شبیه ساز CPU: اضافه کردن دستورات دو مرحله ای
پالت

مشخصات

  • RoHS true
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 0.9nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 15pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id) 270mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.6V@100uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 8Ω@140mA,10V
  • Package SOT-23-3
  • Manufacturer onsemi
  • Series -
  • Packaging Cut Tape (CT)
  • Part Status Active
  • FET Type N-Channel
  • Technology MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 270mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 140mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 10V
  • Vgs (Max) ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 20V
  • FET Feature -
  • Power Dissipation (Max) -
  • Operating Temperature 150°C (TJ)
  • Mounting Type Surface Mount
  • Supplier Device Package 3-CPH
  • Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Part Number 1HN04
  • detail N-Channel 100V 270mA (Ta) Surface Mount 3-CPH

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه