onsemi NJVMJD50T4G
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | --- |
| Package | --- |
| Datasheet | MJDxx,NJVMJD4774G |
| Description | --- |
sellers onsemi NJVMJD50T4G
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات
- RoHS true
- Category Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
- Datasheet onsemi NJVMJD50T4G
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature -65°C~+150°C
- Collector Current (Ic) 1A
- Power Dissipation (Pd) 15W
- Transition Frequency (fT) 10MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 30@0.3A,10V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 0.2mA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 400V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1V@1A,0.2A
- Package DPAK
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد
