NTTFS1D2N02P1E

NTTFS1D2N02P1E

NTTFS1D2N02P1E

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package 8-PowerWDFN
Datasheet NTTFS1D2N02P1E
Description N-Channel 25V 23A (Ta), 180A (Tc) 820mW (Ta), 52W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)

sellers NTTFS1D2N02P1E

فروشگاهی یافت نشد

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

تغییرات قیمت

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

مشخصات

  • RoHS true
  • Type N Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet onsemi NTTFS1D2N02P1E
  • Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 820mW;52W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 24nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 25V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 4.04nF@13V
  • Continuous Drain Current (Id) 23A;180A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2V@934uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 68pF@13V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 0.86mΩ@10V,38A
  • Package PQFN-8
  • Manufacturer onsemi
  • Series -
  • Packaging Cut Tape (CT)
  • Part Status Active
  • FET Type N-Channel
  • Technology MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 180A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 38A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 934µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
  • Vgs (Max) +16V, -12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4040pF @ 13V
  • FET Feature -
  • Power Dissipation (Max) 820mW (Ta), 52W (Tc)
  • Mounting Type Surface Mount
  • Supplier Device Package 8-PQFN (3.3x3.3)
  • Package / Case 8-PowerWDFN
  • Base Part Number NTTFS1
  • detail N-Channel 25V 23A (Ta), 180A (Tc) 820mW (Ta), 52W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه