FQB8P10TM

FQB8P10TM

FQB8P10TM

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datasheet FQB8P10
Description P-Channel 100V 8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)

sellers FQB8P10TM

فروشگاهی یافت نشد

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

تغییرات قیمت

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

مشخصات

  • RoHS true
  • Type P Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 3.75W;65W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 15nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 470pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id) 8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 530mΩ@10V,4A
  • Package D2PAK
  • Manufacturer onsemi
  • Series QFET®
  • Packaging Cut Tape (CT)
  • Part Status Active
  • FET Type P-Channel
  • Technology MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 530mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
  • Vgs (Max) ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
  • FET Feature -
  • Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 65W (Tc)
  • Mounting Type Surface Mount
  • Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
  • Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number FQB8
  • detail P-Channel 100V 8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه