onsemi NJVNJD35N04T4G

onsemi NJVNJD35N04T4G

onsemi NJVNJD35N04T4G

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer ---
Package ---
Datasheet NJD35N04G,NJVNJD35N04x4G
Description ---

sellers onsemi NJVNJD35N04T4G

فروشگاهی یافت نشد

پالت
مقالات مرتبط در سیسوگ
  • استفاده از SiC در مراکز داده‌ مبتنی بر هوش مصنوعی
    استفاده از SiC در مراکز داده‌ مبتنی بر هوش مصنوعی
  • معرفی برد DongshanPI-PicoW
    معرفی برد DongshanPI-PicoW
پالت

مشخصات

  • RoHS true
  • Category Transistors/Thyristors/Darlington Transistors
  • Datasheet onsemi NJVNJD35N04T4G
  • Transistor Type NPN
  • Operating Temperature -65°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic) 4A
  • Power Dissipation (Pd) 45W
  • Transition frequency (fT) 90MHz
  • DC current gain (hFE@Vce,Ic) 2000@2V,2A
  • Collector-emitter voltage (Vceo) 350V
  • Collector cut-off current (Icbo@Vcb) 50uA
  • Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1.5V@2A,20mA
  • Package DPAK

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه