onsemi NJVMJD117T4G
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | --- |
| Package | --- |
| Datasheet | MJD112,117 |
| Description | --- |
sellers onsemi NJVMJD117T4G
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات
- RoHS true
- Category Transistors/Thyristors/Darlington Transistors
- Datasheet onsemi NJVMJD117T4G
- Transistor Type PNP
- Operating Temperature -65°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 2A
- Power Dissipation (Pd) 1.75W
- Transition frequency (fT) 25MHz
- DC current gain (hFE@Vce,Ic) 1000@3V,2A
- Collector-emitter voltage (Vceo) 100V
- Collector cut-off current (Icbo@Vcb) 20uA
- Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 3V@4A,40mA
- Package DPAK
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد
