NVMYS1D2N04CLTWG

NVMYS1D2N04CLTWG

40V 1.2mΩ@50A,10V null SOT-1023 MOSFETs ROHS

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package SOT-1023, 4-LFPAK
Datasheet NVMYS1D2N04CL
Description N-Channel 40V 44A (Ta), 258A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)

sellers NVMYS1D2N04CLTWG

فروشگاهی یافت نشد

پالت

تغییرات قیمت

پالت

مشخصات

  • RoHS true
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet onsemi NVMYS1D2N04CLTWG
  • Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 3.9W;134W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 109nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 6330pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id) 44A;258A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2V@180uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 1.2mΩ@50A,10V
  • Package SOT-1023
  • Manufacturer onsemi
  • Series Automotive, AEC-Q101
  • Packaging Tape & Reel (TR)
  • Part Status Active
  • FET Type N-Channel
  • Technology MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44A (Ta), 258A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 180µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109nC @ 10V
  • Vgs (Max) ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6330pF @ 20V
  • FET Feature -
  • Power Dissipation (Max) 3.9W (Ta), 134W (Tc)
  • Mounting Type Surface Mount
  • Supplier Device Package LFPAK4 (5x6)
  • Package / Case SOT-1023, 4-LFPAK
  • Base Part Number NVMYS1
  • detail N-Channel 40V 44A (Ta), 258A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه

VBsemi Elec NVMYS1D2N04CLTWG-VB
VBsemi Elec NVMYS1D2N04CLTWG-VB
بدون قیمت
ناموجود
ناموجود